Nanostrukturtechnik

Anwendungsorientierte Forschung

  • Plasmaunterstütztes Ätzen in nahezu alle Substrate
  • Beschichten ebener Substrate sowie von kompliziert geformten 3D-Teilen
  • Korrelation der Schichteigenschaften und ihrer Chemie mit der Zusammensetzung des Plasmas und seiner Anregung
  • Damage der Oberfläche und Bauelement-Performance
  • Quantitative Analytik von technologisch wichtigen Dopanden / Verunreinigungen (z. B. C, N und O in Si und GaAs, speziell im sub-ppm-Bereich) ...



. . das sind einige der Herausforderungen und Fragestellungen, die in unseren Labors und denen des Netzwerks an Funktionsschichten untersucht werden.



Aus GaAs/AIGaAs herausgemeißelte Struktur eines Säulen-Lasers


Aus GaAs/AIGaAs herausgemeißelte Struktur eines Säulen-Lasers (links) und die zeitliche spektrometrische Verfolgung des Ga-Signals (unten)


Die zeitliche spektrometrische Verfolgung des Ga-Signals


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Prof. Dr. Gerhard Franz
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